Er bietet eine Reihe an Vorteilen gegenüber Silizium, unter anderem das 10-fache der elektrischen Durchbruchfeldstärke, das 3-fache der Bandlücke, und ermöglicht eine breitere Reihe der Steuerung des p- und . Zudem werden dank des niedrigen Einschaltwiderstands und der kompakten Chipgröße eine niedrige elektrische Kapazität sowie eine niedrige Gate-Ladung erzielt. SiC weist einen nur geringen Einschaltwiderstand auf und ermöglicht eine bessere Miniaturisierung sowie Energieeinsparungen durch die Si- Halbleiter , . Allerdings ist die Herstellung solcher Wafer sehr komplex und schwierig. Die DESIGNELEKTRONIK sprach mit Dr.

Siliziumkarbid ist Halbleitermaterial mit großer Zukunft.

Robert Eckstein, CEO des SiC- Waferherstellers SiCrystal darüber, wie eigentlich ein SiC-Wafer entsteht. Tabelle 2: Chipgrößen und aktive Flächen. Unterscheidung in Sperr- und Flussrichtung bei SiC berücksichtigt den Randabschluss des.

Chips, der nur in Sperrrichtung mit in die aktive Fläche eingeht. Für die Si-Chips kann nach. Die chemische Formel ist SiC.

Sie leiten die elektrische Energie weitaus verlustfreier als herkömmliche H. Hochleistungs- halbleiter.

Neben Galliumnitrid und Zinkoxid ist es einer der Schwerpunkte im. Forschungsbereich der Materialien mit großer Bandlücke. Die Eigenschaften, wie große. Leistungshalbleitern auf Siliziumbasis haben . Widerstandsfähigkeit gegen kosmische Strahlung, hohe . Wechselrichter für extreme Klimazonen.

Hitze, Kälte, Staub und Feuchtigkeit: Die Wachstumsmärkte für Photovoltaik kennzeichnen ein anspruchsvolles Klima. Der Forschungsverbund PV-LEO hat unterstützt mit Mitteln aus dem Bundesforschungs- . Dies soll den Verbrauch von Hybridautos senken helfen. Die Autobauer erwartet dadurch eine Verringerung des Energieverlustes um Prozent und dadurch mehr Effizienz für seine Hybrid- und Brennstoffzellenfahrzeuge.

Vollbrücke, Verstärker und Synchrongleich- richtung für die Ausgangsstufe. Zur Verbes- serung des Gesamtwirkungsgrads der Um- wandlung benötigen diese Topologien Leis- tungs mosfets mit niedrigem spezifischen. Die neuen MOSFETs spiegeln die langjährige Erfahrung von Infineon bei der Entwicklung von SiC-Halbleitern wider und werden in einem modernen Trench- Halbleiter -Prozess gefertigt. Sie sind die neueste Entwicklung im Rahmen der umfassenden CoolSiC-Technologien.

Zu dieser Familie gehören . Der gleichrichtende Effekt von Halbleiter. Metallkontakten wurde bereits in den.

Aus der Konzernzentrale in München fließt ein Millionenbetrag. Die Produkte sind für Elektroautos und Energieanlagen bestimmt.