Nun lässt Infineon die Katze aus dem Sack. Powerex präsentiert SiC MOSFET Module der 2. Seine Merkmale sind unter anderem Hochspannungsfestigkeit, niedriger ON-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit. Für den Kauf von Nacktchips kontaktieren Sie bitte unsere Verkaufsbüros.
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Dieser Fakt spricht sehr deutlich für die chemische Verbindung aus Sili- zium und Kohlenstoff. Treten Sie in direkte Verbindung mit dem Hersteller um ein Angebot einzuholen und um den Händler in Ihrer Nähe zu finden. Dank der Bodydiode des MOSFET ist eine externe antiparallele Diode nicht in allen Fällen erforderlich, kann aber . Da- mit können die Verluste von Bauelemen- ten aus SiC erheblich niedriger sein.
Bei- spielsweise dürften MOSFET -Strukturen auf SiC-Basis Durchbruchspannungen. V-Z-FET SiC- MOSFETs sorgt für Energieersparnis bei Solar‑, Stromversorgungs‑ und Antriebs-Applikationen im Bereich von bis kW. Cree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1. V SiC- MOSFET für niedrige Amperezahlen.